HX1M040065D SIC MOSFET

Part NO.HX1M040065D

VDS = 650 V

ID(TC=100℃) = 40 A

RDS(on) =40 mΩ

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產(chǎn)品詳情

中瑞宏芯碳化硅MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V-1700V電壓等級(jí)并提供從20 m?-1?等多種規(guī)格，主要封裝形式為T(mén)O247-3L、 TO247-4L及其他工業(yè)領(lǐng)域常見(jiàn)封裝。SiC MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了較低的電容和柵極電荷。SiC的特性消除了開(kāi)關(guān)期間的拖尾電流，使得操作更迅速并減少了開(kāi)關(guān)損耗。

**SIC MOSFET選型表**
Product	VR(V)	PKG	ID(A) @100℃	Ron(mΩ) @25℃	Vth(V)
HX1M040065D	650	TO-247-3L	40	40	2.7
HX1M040065K	650	TO-247-4L	40	40	2.7
HX1M160120D	1200	TO-247-3L	10	160	2.7
HX1M160120K	1200	TO-247-4L	10	160	2.7
HX1M080120D	1200	TO-247-3L	28	80	2.9
HX1M080120K	1200	TO-247-4L	20	80	2.7
HX1M080120J	1200	TO-263-7L	20	80	2.7
HX1M040120D	1200	TO-247-3L	40	40	2.7
HX1M040120K	1200	TO-247-4L	40	40	2.7
HX1M040120J	1200	TO-263-7L	40	40	2.7
HX1M018120D	1200	TO-247-3L	75	18	2.7
HX1M018120K	1200	TO-247-4L	75	18	2.7
HX1M022120D	1200	TO-247-3L	57	22	2.8
HX1M022120K	1200	TO-247-4L	57	22	2.8
HX1M1000170D	1700	TO-247-3L	2	1000	2.7
HX1M1000170J	1700	TO-263-7L	2	1000	2.7

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